HJT 2.0の技術
getteringプロセスおよび単一側uc Siの技術のより高い細胞の効率およびより高いモジュール力を保障するために結合。
0.26%/の°CのPmaxの温度係数
より安定した発電の性能はinhotの気候をよくし。
半カットの技術のSMBBの設計
より短い現在の伝送距離、より少なく抵抗損失のandhigherの細胞の効率。
90%までBifaciality
裏側からのより多くのenergyyieldを持って来るNatrualの対称のbifacial構造。
PIBとの密封は密封剤を基づかせていた
より強い防水、extentmoduleの寿命へのより大きい空気不浸透性。
より高い信頼性
産業一流プロダクトおよび性能保証、ensuringmodulesの一貫した顕著な性能。
実用的なプロジェクトのために適した
より低いウシの費用、より低いLCOE
機械特徴 | |
細胞のタイプ | HJTモノラル210*105mm |
細胞の関係 | 132 (6*22) |
フレーム | 陽極酸化されたアルミ合金 |
ジャンクション・ボックス | IP68 |
重量 | 38.7kg |
次元 | 2384*1303*35mm |
出力ケーブル | 4mmの² (EU)、300mmは長さに、長さカスタマイズすることができる |
パッキング情報 | |
容器 | 40' HC |
容器ごとのパレット | 18 |
容器ごとの部分 | 558 |
標準テスト条件STC (AM1.5の放射照度1000W/mの²、細胞Temperature25°C)の価値
電気特徴STC | DS700 | DS705 | DS710 | DS715 | DS720 |
最高力(Pmax) | 700W | 705W | 710W | 715W | 720W |
力の許容 | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W |
モジュールの効率 | 22.53% | 22.70% | 22.86% | 23.02% | 23.18% |
最適動作電流(小鬼) | 16.63A | 16.69A | 16.75A | 16.81A | 16.87A |
最適作動の電圧(Vmp) | 42.10V | 42.25V | 42.39V | 42.54V | 42.68V |
短絡の流れ(Isc) | 17.43A | 17.49A | 17.55A | 17.61A | 17.67A |
開路の電圧(Voc) | 50.13V | 50.29V | 50.44V | 50.59V | 50.74V |