HJT 2.0の技術
getteringプロセスおよび単一側uc Siの技術のより高い細胞の効率およびより高いモジュール力を保障するために結合。
0.26%/の°CのPmaxの温度係数
より安定した発電の性能はinhotの気候をよくし。
半カットの技術のSMBBの設計
より短い現在の伝送距離、より少なく抵抗損失のandhigherの細胞の効率。
90%までBifaciality
裏側からのより多くのenergyyieldを持って来るNatrualの対称のbifacial構造。
PIBとの密封は密封剤を基づかせていた
より強い防水、extentmoduleの寿命へのより大きい空気不浸透性。
より高い信頼性
産業一流プロダクトおよび性能保証、ensuringmodulesの一貫した顕著な性能。
実用的なプロジェクトのために適した
より低いウシの費用、より低いLCOE
機械特徴 | |
細胞のタイプ | HJTモノラル210*105mm |
細胞の関係 | 120 (6*20) |
フレーム | 陽極酸化されたアルミ合金 |
ジャンクション・ボックス | IP68 |
重量 | 35.3kg |
次元 | 2172*1303*35mm |
出力ケーブル | 4mm2 (EU)、300mmは長さに、長さカスタマイズすることができる |
パッキング情報 | |
容器 | 40' HC |
容器ごとのパレット | 18 |
容器ごとの部分 | 558 |
標準テスト条件STC (AM1.5の放射照度1000W/mの²、細胞Temperature25°C)の価値
電気特徴STC | DS625 | DS630 | DS635 | DS640 | DS645 |
最高力(Pmax) | 625W | 630W | 635W | 640W | 645W |
力の許容 | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W |
モジュールの効率 | 22.08% | 22.26% | 22.44% | 22.61% | 22.79% |
最適動作電流(小鬼) | 16.51A | 16.57A | 16.63A | 16.69A | 16.75A |
最適作動の電圧(Vmp) | 37.86V | 38.03V | 38.19V | 38.35V | 38.51V |
短絡の流れ(Isc) | 17.31A | 17.37A | 17.43A | 17.49A | 17.55A |
開路の電圧(Voc) | 45.13V | 45.30V | 45.48V | 45.65V | 45.82V |