2022-07-22
TOPCON電池の中心プロセスに多くの技術的なルートがある。TOPCON電池の準備プロセスはきれいになり、群がること、前部ほう素の拡散が含まれていて、ホウケイ酸ガラス（BSG）および背部結び目、酸化物の不動態化の接触の準備、前部アルミナ/窒化珪素の沈殿、背部窒化珪素の印刷する沈殿、スクリーン焼結およびテストをエッチングする。その中で、酸化物の不動態化の接触の準備はpercに基づいてTOPCONによって加えられるプロセスでありそれはまたTOPCONの中心プロセスである。現在、主に4本の技術的なルートがある:
（1） LPCVDの真性+リンの拡散。次にケイ素酸化物の層および沈殿物のpolysiliconを、およびPNの接続点それから使用拡散炉をpolysiliconにリンを混合するように育てるのに、LPCVD装置形態の受動の接触の構造および腐食をするために使用しなさい。
（2） LPCVDのイオン・インプランテーション。受動の接触の構造はLPCVD装置によって準備され、アニーリング添加を実現するためにそれからpolysiliconのリンの配分はイオンimplanterによって正確におよび最終的にエッチングによって続かれて制御される。
（3） PECVDのそのままの添加。トンネルを掘る酸化物の層はPECVD装置によって準備され、polysiliconは現場で添加された。
（4） PVDのそのままの添加。PVD装置を使用して、材料は基質の表面で真空の下で放出させることによって沈殿する。
LPCVDは最も成長している。PECVDおよびPVDはめっきを包む問題を解決できるが利点および不利な点は異なっている。現在、LPCVDプロセスは比較的成長している。主義は低圧および高温の下で気体混合物を分解すること次に必須のフィルムを形作るために基質の表面のそれらを沈殿させる。プロセス制御は簡単、容易である、フィルムの形成の均等性はよく、密度は高いが、フィルムの形成率は遅い、高温は要求され、水晶部分の沈殿は比較的深刻である。但しプロセス複雑さをなお一層の増加付加的なエッチング装置の導入によって解決されるめっきの必要性を包むことの、広まった現象。活動化するのに熱エネルギーを使用するLPCVDとは違って、PECVDはローカル血しょうを形作るためにフィルム原子を含んでいるマイクロウェーブ、無線周波数および他のガスおよび沈殿物血しょうガスの高い活動の基質の表面の必須のフィルム使用する。その利点は巻くめっきが非常に小さい、受動のフィルムの均等性は制御しにくく、悪い不動態化の効果に終ってがことをfilm-forming率が非常に速く泡が、あるかもしれないことである。PVDは物理的な沈殿を採用するそれのCVDと異なっている、包む現象がないし、film-forming率は速い。但し、現在のプロセスは比較的未熟である、必須装置は高い、目標資料の量は大きい、正方形の抵抗の均等性は粗末であり、発生させた電池の質は不安定である。
